دانلود تحقیق درمورد رجيستري حافظه هاي الكترونيكي Flash memory

با دانلود تحقیق در مورد رجيستري حافظه هاي الكترونيكي Flash memory در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق رجيستري حافظه هاي الكترونيكي Flash memory را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق رجيستري حافظه هاي الكترونيكي Flash memory ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد رجيستري حافظه هاي الكترونيكي Flash memory

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:29 صفحه

قسمتی از فایل:

حافظه هاي الكترونيكي Flash memory

حافظه ها ی الکترونيکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، يک نمونه از حافظه های الکترونيکی بوده که برای ذخيره سازی آسان و سريع اطلاعات در دستگاههائی نظير : دوربين های ديجيتال ، کنسول بازيهای کامپيوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه يک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده می گردد :

•تراشه BIOS موجود در کامپيوتر

•CompactFlash که در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد .
•SmartMedia که اغلب در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد
•Memory Stick که اغلب در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد .

•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II

•کارت های حافظه برای کنسول های بازيهای ويدئويی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش يک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو ترانزيستور استفاده می گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکی از ترانزيستورها Floating gate و ديگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانيکه لينک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار يک ذخيره خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار يک به صفر از فرآيندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغيير محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. يک شارژ الکتريکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه می گردد( زمين ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزيستور floating gate مشابه يک پخش کننده الکترون رفتار نمايد . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اکسيد به دام افتاد و يک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان يک صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار می نمايند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد کرد. در صورتيکه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يک را دارا خواهد بود.زمانيکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد کرد.يک تراشه EEPROM دارای گيت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يک را دارا است.